Transistor switching circuits na may mga field effect

Tulad ng sa iba't ibang mga elektronikong aparato, ang bipolar transistor ay gumagana sa karaniwang emitter, common collector o common base switching, field effect transistors sa maraming mga kaso maaari itong gamitin nang katulad upang isama ang: karaniwang pinagmulan, karaniwang drain, o karaniwang gate.

Ang pagkakaiba ay nasa paraan ng kontrol: ang bipolar transistor ay kinokontrol ng base current at ang FET ay kinokontrol ng gate charge.

Sa mga tuntunin ng pagkonsumo ng kuryente, ang kontrol ng FET ay karaniwang mas matipid kaysa sa kontrol ng bipolar transistor. Ito ay isa sa mga kadahilanan na nagpapaliwanag sa kasalukuyang katanyagan ng mga transistor na may field-effect. Gayunpaman, isaalang-alang sa mga pangkalahatang tuntunin ang mga tipikal na switching circuit ng mga FET.

Pangkalahatang paglipat ng pinagmulan

Ang circuit para sa pag-on sa isang common-source FET ay kahalintulad sa isang common-emitter circuit para sa isang bipolar transistor. Ang ganitong pagsasama ay napaka-pangkaraniwan dahil sa kakayahang magbigay ng isang makabuluhang pagtaas sa kapangyarihan at kasalukuyang habang ang boltahe phase ng drain circuit ay nababaligtad.

Ang input resistance ng direct junction-source ay umaabot sa daan-daang megohms, bagaman maaari itong bawasan sa pamamagitan ng pagdaragdag ng resistor sa pagitan ng gate at ng source para galvanically pull ang gate sa common wire (pagprotekta sa FET mula sa mga pickup).

Ang halaga ng risistor na ito Rz (karaniwang 1 hanggang 3 MΩ) ay pinili upang hindi lubos na bias ang paglaban ng gate-source, habang pinipigilan ang overvoltage mula sa reverse bias control node current.

Ang makabuluhang input resistance ng isang FET sa isang common-source circuit ay isang mahalagang bentahe ng FET kapag ginamit sa boltahe, kasalukuyang at power amplification circuit, dahil ang resistensya sa drain circuit Rc ay karaniwang hindi lalampas sa ilang kΩ.

I-on gamit ang karaniwang pinagmulan

Ang switching circuit ng isang common-drain (source-follower) FET ay kahalintulad sa isang common-collector circuit para sa isang bipolar transistor (emitter-follower). Ang ganitong paglipat ay ginagamit sa pagtutugma ng mga yugto kung saan ang output boltahe ay dapat na nasa phase sa input boltahe.

Ang input resistance ng gate-source junction, tulad ng dati, ay umaabot sa daan-daang megohms, habang ang output resistance Ri ay medyo maliit. Ang switching na ito ay may mas mataas na frequency range kaysa sa isang simpleng source circuit. Ang boltahe gain ay malapit sa pagkakaisa dahil ang source-drain at gate-source na boltahe para sa circuit na ito ay karaniwang malapit sa magnitude.

Pangkalahatang pagpapalit ng shutter

Ang isang karaniwang gate circuit ay katulad ng isang karaniwang base stage para sa isang bipolar transistor. Walang kasalukuyang pakinabang dito, at samakatuwid ang power gain ay maraming beses na mas mababa kaysa sa isang common-source cascade.Ang boltahe ng boost ay may parehong bahagi ng control boltahe.

Dahil ang kasalukuyang output ay katumbas ng kasalukuyang input, kung gayon ang kasalukuyang nakuha ay katumbas ng pagkakaisa at ang boltahe na nakuha ay karaniwang mas malaki kaysa sa pagkakaisa.

Ang paglipat na ito ay may isang katangian - parallel negatibong kasalukuyang feedback, dahil sa isang pagtaas sa control input boltahe, ang source potensyal na pagtaas, naaayon, ang alisan ng tubig kasalukuyang bumababa at ang boltahe sa source circuit resistance Ri ay bumababa.

Kaya, sa isang banda, tumataas ang boltahe sa source resistance dahil sa pagtaas ng input signal, ngunit bumababa habang bumababa ang drain current, ito ay negatibong feedback.

Ang phenomenon na ito ay nagpapalawak ng stage bandwidth sa high-frequency na rehiyon, kaya naman sikat ang common gate circuit sa mga high-frequency voltage amplifier at partikular na hinahangad sa mga highly stable resonant circuit.